Prix: 421,44 €
(as of Dec 14,2024 10:31:44 UTC – Details)
Spécifications Mfr Numéro de pièce: MZ-V7S1T0B/AM Capacité: 1 To Facteur de forme: M.2 2280 Interface: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3 Flash NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC Contrôleur: Samsung Phoenix Controller Cache Mémoire: Samsung 1 Go Low Power DDR4 SDRAM Performance: Lecture séquentielle Vitesse d’écriture jusqu’à 3 500 Mo/s Vitesse de lecture aléatoire 4 K (QD1): jusqu’à 19 K IOPS 4 K vitesse d’écriture aléatoire (QD1): jusqu’à 60 K IOPS 4 K vitesse de lecture aléatoire (QD32): jusqu’à 600 K IOPS 4 K vitesse d’écriture aléatoire (QD32): jusqu’à 550 K IOPS MTBF: 1500 000 heures Consommation d’énergie: moyenne: 6 W maximum: 9 W (rafale maximum). ) ralenti: 30 mW (max) choc: 1500 g et 0, 5 ms (sinus half) Température: 0 – 70 °C Température de fonctionnement Dimensions (L x P x H): 80, 15 x 2, 38 x 22, 15 mm Poids: 8, 0 g (max)
Spécialement conçu pour les amateurs de technologie, les joueurs hardcore et les professionnels qui ont besoin d’une performance inégalée et d’une fiabilité supérieure.
Offre une endurance exceptionnelle avec jusqu’à 600 téraoctets écrits.
Le 970 EVO Plus atteint des vitesses d’écriture aléatoires jusqu’à 57 % plus rapides que le 970 EVO.