Prix: 124,81 € - 110,59 €
(as of Apr 25,2024 14:35:15 UTC – Details)
Spécifications Mfr Numéro de pièce: MZ-V7S500B/AM Capacité: 500 Go Facteur de forme: M.2 2280 Interface: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3 Flash NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC Contrôleur: Samsung Phoenix Controller Cache Mémoire: Samsung 512 Mo faible puissance DDR4 SDRAM Performance: Lecture séquentielle Vitesse d’écriture: jusqu’à 3 500 Mo/s séquentielle: jusqu’à 3 200 Mo/s/s 4K vitesse de lecture aléatoire (QD1): jusqu’à 19 K IOPS 4K vitesse d’écriture aléatoire (QD1): jusqu’à 60 K IOPS 4K vitesse de lecture aléatoire (QD32): jusqu’à 480 K IOPS 4K vitesse d’écriture aléatoire (QD32): jusqu’à 550 K IOPS MTBF: 1500 000 heures Consommation d’énergie: moyenne: 5, 8 W maximum: 9 W (rafale Mode) Idle: 30 mW (max) Choc: 1500 g et 0, 5 ms (Half sine) Dimensions (l x P x H): 80, 15 x 2, 38 x 22, 15 mm Poids: 8, 0 g (max)
Spécialement conçu pour les amateurs de technologie, les joueurs hardcore et les professionnels qui ont besoin d’une performance inégalée et d’une fiabilité supérieure.
Offre une endurance exceptionnelle avec jusqu’à 600 téraoctets écrits.
Le 970 EVO Plus atteint des vitesses d’écriture aléatoires jusqu’à 57 % plus rapides que le 970 EVO.
